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IKD04N60RFAATMA1

IKD04N60RFAATMA1

참조 용

부품 번호 IKD04N60RFAATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD04N60RFAATMA1
설명 IGBT 600V 8A 75W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,426
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD04N60RFAATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD04N60RFAATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD04N60RFAATMA1, IKD04N60RFAATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 1,751.45 KB)
PDFIKD04N60RFAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD04N60RFAATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈Automotive, AEC-Q101, TrenchStop™
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)8A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.5V @ 15V, 4A
전력-최대75W
에너지 전환60µJ (on), 50µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/116ns
테스트 조건400V, 4A, 43Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)34ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

36A

전류-수집기 펄스 (Icm)

64A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

895µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

10ns/120ns

테스트 조건

800V, 15A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

RGW80TS65GC11

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 40A

전력-최대

214W

에너지 전환

760µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/143ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247N

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 8A

전력-최대

125W

에너지 전환

460µJ (on), 180µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13.3nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/40ns

테스트 조건

450V, 8A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

114ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGFW30V60DF

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

전력-최대

58W

에너지 전환

383µJ (on), 233µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

163nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/189ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

53ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-3PF

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 20A

전력-최대

348W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

208nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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