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RGTH00TS65GC11

RGTH00TS65GC11

참조 용

부품 번호 RGTH00TS65GC11
PNEDA 부품 번호 RGTH00TS65GC11
설명 IGBT 650V 85A 277W TO-247N
제조업체 Rohm Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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RGTH00TS65GC11 리소스

브랜드 Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호RGTH00TS65GC11
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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RGTH00TS65GC11 사양

제조업체Rohm Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)85A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 50A
전력-최대277W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지94nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C39ns/143ns
테스트 조건400V, 50A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247N

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제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

4000V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

380W

에너지 전환

55mJ (on), 165mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

275nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

160ns/630ns

테스트 조건

2800V, 40A, 33Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUSi5-Pak™

공급자 장치 패키지

ISOPLUSi5-Pak™

STGW20NC60V

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

220µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/100ns

테스트 조건

390V, 20A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IXGX75N250

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

170A

전류-수집기 펄스 (Icm)

530A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

전력-최대

780W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

410nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

HGTG20N60A4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

280A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

290W

에너지 전환

105µJ (on), 150µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

142nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/73ns

테스트 조건

390V, 20A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

195W

에너지 전환

570µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

175nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/90ns

테스트 조건

300V, 40A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

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