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IKD06N60RAATMA1

IKD06N60RAATMA1

참조 용

부품 번호 IKD06N60RAATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD06N60RAATMA1
설명 IGBT 600V 12A TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 3 - 4월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD06N60RAATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD06N60RAATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD06N60RAATMA1, IKD06N60RAATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 2,388.89 KB)
PDFIKD06N60RAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD06N60RAATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop™
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)12A
전류-수집기 펄스 (Icm)18A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 6A
전력-최대100W
에너지 전환110µJ (on), 220µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지48nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C12ns/127ns
테스트 조건400V, 6A, 23Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)68ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

56A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

전력-최대

60W

에너지 전환

160µJ (on), 120µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

26ns/130ns

테스트 조건

480V, 7A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

APT40GR120S

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

88A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 40A

전력-최대

500W

에너지 전환

1.38mJ (on), 906µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

210nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/163ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D3Pak

HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

전력-최대

298W

에너지 전환

320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

IXGR50N60B

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

250W

에너지 전환

3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/110ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

360V

전류-수집기 (Ic) (최대)

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1.8V @ 15V, 50A

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125W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

47nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

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