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IKD15N60RAATMA1

IKD15N60RAATMA1

참조 용

부품 번호 IKD15N60RAATMA1
PNEDA 부품 번호 IKD15N60RAATMA1
설명 IGBT 600V 30A 250W TO252-3
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 4 - 2월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IKD15N60RAATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IKD15N60RAATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IKD15N60RAATMA1, IKD15N60RAATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 790.91 KB)
PDFIKD15N60RAATMA1 데이터 시트 표지
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IKD15N60RAATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈TrenchStop®
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)45A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 15A
전력-최대250W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지90nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C16ns/183ns
테스트 조건400V, 15A, 15Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)110ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지PG-TO252-3

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 15A

전력-최대

115W

에너지 전환

543µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

90nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/229ns

테스트 조건

600V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

RJH60D1DPP-E0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 10A

전력-최대

30W

에너지 전환

100µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

13nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/42ns

테스트 조건

300V, 10A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

70ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220FP

IRGC14C40LD

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

430V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.65V @ 4.5V, 10A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IRGSL10B60KDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

22A

전류-수집기 펄스 (Icm)

44A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 10A

전력-최대

156W

에너지 전환

140µJ (on), 250µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

38nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/230ns

테스트 조건

400V, 10A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

공급자 장치 패키지

TO-262

HGT1S10N120BNST

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

35A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

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에너지 전환

320µJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/165ns

테스트 조건

960V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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