IPB100N12S305ATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPB100N12S305ATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPB100N12S305ATMA1 |
| 설명 | MOSFET N-CH 120V 100A TO263-3 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 8,262 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 26 - 3월 3 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPB100N12S305ATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPB100N12S305ATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IPB100N12S305ATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 120V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 5.1mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 4V @ 240µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 185nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±20V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 11570pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 300W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TO263-3 |
| 패키지 / 케이스 | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA |
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제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈 U-MOSVI FET 유형 P-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) - Rds On (최대) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V Vgs (최대) - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 510pF @ 10V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 700mW (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 VS-6 (2.9x2.8) 패키지 / 케이스 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 2.7V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 3.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 4.5V Vgs (최대) ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 15V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 1.1W (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 8-MSOP 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
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