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IXFX73N30Q

IXFX73N30Q

참조 용

부품 번호 IXFX73N30Q
PNEDA 부품 번호 IXFX73N30Q
설명 MOSFET N-CH 300V 73A PLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,580
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXFX73N30Q 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXFX73N30Q
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IXFX73N30Q, IXFX73N30Q 데이터 시트 (총 페이지: 4, 크기: 585.12 KB)
PDFIXFK73N30Q 데이터 시트 표지
IXFK73N30Q 데이터 시트 페이지 2 IXFK73N30Q 데이터 시트 페이지 3 IXFK73N30Q 데이터 시트 페이지 4

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IXFX73N30Q 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs45mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 4mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs195nC @ 10V
Vgs (최대)±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds5400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)500W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지PLUS247™-3
패키지 / 케이스TO-247-3

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ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

10A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

112mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8nC @ 4.5V

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta), 15W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK/TP-FA

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SI1411DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

420mA (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

SOT-363

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

TPHR9203PL,L1Q

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

U-MOSIX-H

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

150A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

2.1V @ 500µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7540pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

132W (Tc)

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

8-SOP Advance (5x5)

패키지 / 케이스

8-PowerVDFN

STD45NF75T4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

75V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

40A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1760pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

125W (Tc)

작동 온도

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Infineon Technologies

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기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Ta), 60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1430pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.2W (Ta), 42W (Tc)

작동 온도

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