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IPD06P002NATMA1

IPD06P002NATMA1

참조 용

부품 번호 IPD06P002NATMA1
PNEDA 부품 번호 IPD06P002NATMA1
설명 TRENCH 40<-<100V
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPD06P002NATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPD06P002NATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
IPD06P002NATMA1, IPD06P002NATMA1 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 1,000.68 KB)
PDFIPD06P002NATMA1 데이터 시트 표지
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  • IPD06P002NATMA1 Distributor

IPD06P002NATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs38mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 1.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs63nC @ 10V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2500pF @ 30V
FET 기능-
전력 손실 (최대)125W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PG-TO252-3
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

160A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.3V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4mOhm @ 95A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

140nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

6600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.8W (Ta), 200W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-PAK (TO-252AA)

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MTP2955V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

Vgs (최대)

±15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

770pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

60W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

BFL4001-1E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

900V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.1A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 3.25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

850pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2W (Ta), 37W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3 Fullpack/TO-220F-3SG

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

STW14NM50

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

MDmesh™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

550V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

14A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

350mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

38nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

175W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-247-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

MTM861240LBF

Panasonic Electronic Components

제조업체

Panasonic Electronic Components

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-

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 4V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 1A, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.3V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

540mW (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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