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IPG20N04S408ATMA1

IPG20N04S408ATMA1

참조 용

부품 번호 IPG20N04S408ATMA1
PNEDA 부품 번호 IPG20N04S408ATMA1
설명 MOSFET 2N-CH 40V 20A TDSON-8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 5,256
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPG20N04S408ATMA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPG20N04S408ATMA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IPG20N04S408ATMA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7.6mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs36nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2940pF @ 25V
전력-최대65W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PG-TDSON-8-4

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드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

33mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

404pF @ 20V

전력-최대

1.6W, 1.7W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN53D0LDW-7

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제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

50V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

360mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

46pF @ 25V

전력-최대

310mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SOT-363

SI6969BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

800mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

830mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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Infineon Technologies

제조업체

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

21mOhm @ 8.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2678pF @ 25V

전력-최대

2W

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