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IRFH7911TRPBF

IRFH7911TRPBF

참조 용

부품 번호 IRFH7911TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRFH7911TRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 30V 13A/28A PQFN
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,384
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFH7911TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFH7911TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRFH7911TRPBF Distributor

IRFH7911TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 28A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.6mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1060pF @ 15V
전력-최대2.4W, 3.4W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스18-PowerVQFN
공급자 장치 패키지PQFN (5x6)

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QFET®

FET 유형

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드레인-소스 전압 (Vdss)

60V, 300V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.3A, 300mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

550mOhm @ 650mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.95V @ 20mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.1nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ECH8675-TL-H

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

46mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.3nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

670pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-ECH

SI5513DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.1A, 2.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

75mOhm @ 3.1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

1206-8 ChipFET™

SQJ910AEP-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

39nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1869pF @ 15V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

8V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

40nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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