IPG20N04S4L07AATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPG20N04S4L07AATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPG20N04S4L07AATMA1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,852 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPG20N04S4L07AATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPG20N04S4L07AATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IPG20N04S4L07AATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 40V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 7.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 30µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 50nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3980pF @ 25V |
| 전력-최대 | 65W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 34mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 7.8W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SC-70-6 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SC-70-6 Dual |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.6A Rds On (최대) @ Id, Vgs 23mOhm @ 7.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12.5nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 630pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 LITTLE FOOT® FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 950pF @ 15V 전력-최대 2.9W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 2.7A, 2A Rds On (최대) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 210pF @ 25V 전력-최대 1.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) 공급자 장치 패키지 Micro8™ |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 40A Rds On (최대) @ Id, Vgs 10mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 30.1nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2163pF @ 25V 전력-최대 64W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-1205, 8-LFPAK56 공급자 장치 패키지 LFPAK56D |
