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IRF7509TRPBF

IRF7509TRPBF

참조 용

부품 번호 IRF7509TRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF7509TRPBF
설명 MOSFET N/P-CH 30V 2.7A/2A MICRO8
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 314,280
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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IRF7509TRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7509TRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRF7509TRPBF Distributor

IRF7509TRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형N and P-Channel
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)2.7A, 2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs110mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs12nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds210pF @ 25V
전력-최대1.25W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
공급자 장치 패키지Micro8™

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시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

50mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

920pF @ 15V

전력-최대

500mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-UDFN (2x2)

IRF8852TRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11.3mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.35V @ 25µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1151pF @ 20V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

NTMD6601NR2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

215mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

15nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 25V

전력-최대

600mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

NTJD4158CT2G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA, 880mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 100µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

1.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

33pF @ 5V

전력-최대

270mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88/SC70-6/SOT-363

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Rds On (최대) @ Id, Vgs

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Vgs (th) (최대) @ Id

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게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

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입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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1130W

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