NTJD4158CT2G
참조 용
| 부품 번호 | NTJD4158CT2G |
| PNEDA 부품 번호 | NTJD4158CT2G |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V/20V SC88-6 |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,672 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 14 - 2월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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NTJD4158CT2G 리소스
| 브랜드 | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | NTJD4158CT2G |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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NTJD4158CT2G 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 250mA, 880mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 10mA, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.5nC @ 5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 33pF @ 5V |
| 전력-최대 | 270mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 12A Rds On (최대) @ Id, Vgs 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 22nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 984pF @ 20V 전력-최대 11.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-MLP (3x3) |
제조업체 Cree/Wolfspeed 시리즈 Z-FET™ FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 168A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 3.1V @ 50mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 9500pF @ 800V 전력-최대 568W 작동 온도 - 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Renesas Electronics America 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate, 4.5V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 37nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2300pF @ 10V 전력-최대 3W (Ta) 작동 온도 150°C 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
제조업체 Rohm Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4.5A (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 80mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 125pf @ 15V 전력-최대 2W (Ta) 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
