IPG20N06S4L26AATMA1
참조 용
| 부품 번호 | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| PNEDA 부품 번호 | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 8TDSON |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 80,388 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IPG20N06S4L26AATMA1 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IPG20N06S4L26AATMA1 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IPG20N06S4L26AATMA1 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 60V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 20A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 1430pF @ 25V |
| 전력-최대 | 33W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount, Wettable Flank |
| 패키지 / 케이스 | 8-PowerVDFN |
| 공급자 장치 패키지 | PG-TDSON-8-10 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A, 5.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 700mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 27nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 900pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Nexperia USA Inc. 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel Complementary FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 590mA (Ta), 410mA (Ta) Rds On (최대) @ Id, Vgs 670mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 950mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 1.05nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 30.3pF @ 15V, 43.2pF @ 15V 전력-최대 285mW (Ta) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-XFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 DFN1010B-6 |
제조업체 Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈 - FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate, 1.8V Drive 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 11.6A (Tc), 9A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 677pF @ 10V, 744pF @ 10V 전력-최대 6.25W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-TDFN (2x2) |
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 PowerTrench® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 28A (Ta), 95A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 2.12mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 90nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 5035pF @ 15V 전력-최대 2.1W (Ta), 29W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerWDFN 공급자 장치 패키지 8-PQFN (3.3x5) |
