IRF5810TR
참조 용
부품 번호 | IRF5810TR |
PNEDA 부품 번호 | IRF5810TR |
설명 | MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP |
제조업체 | Infineon Technologies |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 6,462 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF5810TR 리소스
브랜드 | Infineon Technologies |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | IRF5810TR |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
데이터 시트 |
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IRF5810TR 사양
제조업체 | Infineon Technologies |
시리즈 | HEXFET® |
FET 유형 | 2 P-Channel (Dual) |
FET 기능 | Logic Level Gate |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 2.9A |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 2.9A, 4.5V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1.2V @ 250µA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 650pF @ 16V |
전력-최대 | 960mW |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
장착 유형 | Surface Mount |
패키지 / 케이스 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
공급자 장치 패키지 | 6-TSOP |
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