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IRF6723M2DTRPBF

IRF6723M2DTRPBF

참조 용

부품 번호 IRF6723M2DTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF6723M2DTRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF6723M2DTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF6723M2DTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
IRF6723M2DTRPBF, IRF6723M2DTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 265.53 KB)
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  • IRF6723M2DTRPBF Distributor

IRF6723M2DTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.35V @ 25µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs14nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1380pF @ 15V
전력-최대2.7W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DirectFET™ Isometric MA
공급자 장치 패키지DIRECTFET™ MA

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

81nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3320pF @ 15V

전력-최대

2W (Ta)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

30A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

21.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1200pF @ 25V

전력-최대

48W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

AON2801L#A

Alpha & Omega Semiconductor

제조업체

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

120mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

700pF @ 10V

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-DFN (2x2)

SI4932DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

15mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

48nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1750pF @ 15V

전력-최대

3.2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

US6M2GTR

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V, 20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.5A, 1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 10V, 150pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C

장착 유형

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패키지 / 케이스

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