US6M2GTR
참조 용
| 부품 번호 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | US6M2GTR | ||||||||||||||||||
| 설명 | 2.5V DRIVE NCH+PCH MOSFET, 6 PIN | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | ||||||||||||||||||
| 단가 |
|
||||||||||||||||||
| 재고 있음 | 73 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 1월 21 - 1월 26 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * | ||||||||||||||||||
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||
US6M2GTR 리소스
| 브랜드 | Rohm Semiconductor |
| ECAD Module |
|
| Mfr. 부품 번호 | US6M2GTR |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
PNEDA는 고품질 전자 부품을 고객에게 빠르고 안정적으로 공급함으로써 업계 리더가되기 위해 노력하고 있습니다.
우리의 접근 방식은 고객에게 다음과 같은 세 가지 주요 이점을 입증하는 데 기반을두고 있습니다.
신속한 대응
저희 팀은 귀하의 요청에 신속하게 응답하고 귀하의 부품을 찾기 위해 즉시 작업을 시작합니다.
보장 된 품질
당사의 품질 관리 프로세스는 신뢰성과 성능을 보장하면서 위조품을 보호합니다.
글로벌 액세스
전 세계적으로 신뢰할 수있는 리소스 네트워크를 통해 필요한 특정 부품을 찾아 제공 할 수 있습니다.
Hot search vocabulary
- US6M2GTR Datasheet
- where to find US6M2GTR
- Rohm Semiconductor
- Rohm Semiconductor US6M2GTR
- US6M2GTR PDF Datasheet
- US6M2GTR Stock
- US6M2GTR Pinout
- Datasheet US6M2GTR
- US6M2GTR Supplier
- Rohm Semiconductor Distributor
- US6M2GTR Price
- US6M2GTR Distributor
US6M2GTR 사양
| 제조업체 | Rohm Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V, 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.5A, 1A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 80pF @ 10V, 150pF @ 10V |
| 전력-최대 | 1W |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | TUMT6 |
관심을 가질만한 제품
|
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 130mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 10Ohm @ 100mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 45pF @ 25V 전력-최대 150mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 SOT-563, SOT-666 공급자 장치 패키지 SOT-563 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Half Bridge) FET 기능 Silicon Carbide (SiC) 드레인-소스 전압 (Vdss) 1200V (1.2kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 55A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 49mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 2mA (Typ) 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 98nC @ 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1900pF @ 1000V 전력-최대 250W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP1 공급자 장치 패키지 SP1 |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 61mOhm @ 3.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17.9nC @ 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 915pF @ 6V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-UDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 U-DFN2020-6 (Type B) |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ II FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 55mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 16nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1350pF @ 16V 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 STMicroelectronics 시리즈 STripFET™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 90mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 315pF @ 25V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
