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IRF7314PBF

IRF7314PBF

참조 용

부품 번호 IRF7314PBF
PNEDA 부품 번호 IRF7314PBF
설명 MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 2,052
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 1 - 2월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF7314PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF7314PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRF7314PBF Distributor

IRF7314PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)5.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id700mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds780pF @ 15V
전력-최대2W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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시리즈

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FET 유형

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FET 기능

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드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

28A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

98mOhm @ 20A, 20V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

49nC @ 20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

950pF @ 1000V

전력-최대

125W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTC60AM45T1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Half Bridge)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

150nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

7200pF @ 25V

전력-최대

250W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP1

공급자 장치 패키지

SP1

TC6321T-V/9U

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7Ohm @ 1A, 10V, 8Ohm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 1mA, 2.4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

110pF @ 25V, 200pF @ 25V

전력-최대

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-VDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

8-VDFN (6x5)

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

16.5mOhm @ 11.3A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

75nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.4W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

SQ4282EY-T1_GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

8A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

47nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2367pF @ 15V

전력-최대

3.9W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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