IRF8313TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF8313TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF8313TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8-SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 93,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 12월 20 - 12월 25 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF8313TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF8313TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF8313TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 9.7A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9.7A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 9nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 760pF @ 15V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
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제조업체 STMicroelectronics 시리즈 Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 78.5A Rds On (최대) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 12nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1500pF @ 25V 전력-최대 72W 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PowerFlat™ (5x6) |
제조업체 EPC 시리즈 eGaN® FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Source FET 기능 GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss) 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.4A Rds On (최대) @ Id, Vgs 60mOhm @ 4A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id 2.5V @ 700µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 0.8nC @ 5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 80pF @ 60V 전력-최대 - 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 Die 공급자 장치 패키지 Die |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 * FET 유형 - FET 기능 - 드레인-소스 전압 (Vdss) - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) - Rds On (최대) @ Id, Vgs - Vgs (th) (최대) @ Id - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7.2A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 19mOhm @ 7A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 24nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1150pF @ 15V 전력-최대 1.6W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 6-DFN-EP (2x5) |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 - FET 유형 4 P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 600mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 2Ohm @ 1A, 12V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 150pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 14-DIP 공급자 장치 패키지 14-DIP |
