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IRF9395MTRPBF

IRF9395MTRPBF

참조 용

부품 번호 IRF9395MTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRF9395MTRPBF
설명 MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 3,924
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 1 - 12월 6 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRF9395MTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRF9395MTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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IRF9395MTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 P-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)14A
Rds On (최대) @ Id, Vgs7mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs64nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds3241pF @ 15V
전력-최대2.1W
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스DirectFET™ Isometric MC
공급자 장치 패키지DIRECTFET™ MC

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 72A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3.9V @ 5.4mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

518nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

14000pF @ 25V

전력-최대

416W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

EFC6605R-TR

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 2.5V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

19.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.6W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-SMD, No Lead

공급자 장치 패키지

6-EFCP (1.9x1.46)

QJD1210SA2

Powerex Inc.

제조업체

Powerex Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

1200V (1.2kV)

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 34mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

330nC @ 15V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8200pF @ 10V

전력-최대

415W

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

Module

공급자 장치 패키지

Module

STS2DPF80

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

80V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

739pF @ 25V

전력-최대

2.5W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN3016LDV-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

21A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 7A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

9.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1184pF @ 15V

전력-최대

-

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