IRF9910TRPBF
참조 용
| 부품 번호 | IRF9910TRPBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRF9910TRPBF |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 10A/12A 8-SOIC |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,374 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 27 - 2월 1 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRF9910TRPBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRF9910TRPBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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IRF9910TRPBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 10A, 12A |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 9.3mOhm @ 12A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.55V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 900pF @ 10V |
| 전력-최대 | 2W |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 공급자 장치 패키지 | 8-SO |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Sanken 시리즈 - FET 유형 4 N-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 10A Rds On (최대) @ Id, Vgs 175mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 850pF @ 10V 전력-최대 5W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 12-SIP 공급자 장치 패키지 12-SIP w/fin |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 3.5A, 2.3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 14nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 190pF @ 15V 전력-최대 2W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 HEXFET® FET 유형 N and P-Channel FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 4A, 3A Rds On (최대) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 25nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 520pF @ 15V 전력-최대 1.4W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Diodes Incorporated 시리즈 - FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 900mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 260mOhm @ 880mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 2.1nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 184pF @ 10V 전력-최대 450mW 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 공급자 장치 패키지 SOT-363 |
