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IRFH4255DTRPBF

IRFH4255DTRPBF

참조 용

부품 번호 IRFH4255DTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRFH4255DTRPBF
설명 MOSFET 2N-CH 25V 64A/105A PQFN
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,392
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 22 - 6월 27 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRFH4255DTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRFH4255DTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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  • IRFH4255DTRPBF Distributor

IRFH4255DTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈HEXFET®
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)64A, 105A
Rds On (최대) @ Id, Vgs3.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs15nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1314pF @ 13V
전력-최대31W, 38W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerVDFN
공급자 장치 패키지PQFN (5x6)

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Rohm Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

5A, 7A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

230pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

SI4511DY-T1-E3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.2A, 4.6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 9.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

DMN2028UFU-7

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

20.2mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18.4nC @ 8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

887pF @ 10V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-UFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

U-DFN2030-6 (Type B)

SH8J66TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18.5mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

35nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3000pF @ 10V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDMD8280

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

11A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8.2mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

44nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

3050pF @ 40V

전력-최대

1W

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