IRFR12N25DCTRRP
참조 용
| 부품 번호 | IRFR12N25DCTRRP |
| PNEDA 부품 번호 | IRFR12N25DCTRRP |
| 설명 | MOSFET N-CH 250V 14A DPAK |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,844 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 10월 3 - 10월 8 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRFR12N25DCTRRP 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRFR12N25DCTRRP |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
| 데이터 시트 |
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IRFR12N25DCTRRP 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 250V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 14A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 260mOhm @ 8.4A, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 5V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Vgs (최대) | ±30V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 810pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 144W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | D-Pak |
| 패키지 / 케이스 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 690mOhm @ 2.65A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 10nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 400pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 2.5W (Ta), 45W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 공급자 장치 패키지 D-Pak 패키지 / 케이스 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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제조업체 Alpha & Omega Semiconductor Inc. 시리즈 aMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 600mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.9V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 8.2nC @ 10V Vgs (최대) ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 372pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 104W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-262 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 QFET® FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 71A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 16mOhm @ 35.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 110nC @ 10V Vgs (최대) ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 3250pF @ 25V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 160W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 TO-220-3 패키지 / 케이스 TO-220-3 |
