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IRG4RC20FTRPBF

IRG4RC20FTRPBF

참조 용

부품 번호 IRG4RC20FTRPBF
PNEDA 부품 번호 IRG4RC20FTRPBF
설명 IGBT 600V 22A 66W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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재고 있음 5,130
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IRG4RC20FTRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG4RC20FTRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRG4RC20FTRPBF, IRG4RC20FTRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 394.76 KB)
PDFIRG4RC20FTRLPBF 데이터 시트 표지
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  • IRG4RC20FTRPBF Distributor

IRG4RC20FTRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)22A
전류-수집기 펄스 (Icm)44A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 12A
전력-최대66W
에너지 전환190µJ (on), 920µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지27nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C26ns/194ns
테스트 조건480V, 12A, 50Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 110A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

700nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

80ns/380ns

테스트 조건

600V, 110A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

FGA15N120ANDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

45A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

3.27mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

90ns/310ns

테스트 조건

600V, 15A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

330ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

제조업체

IXYS

시리즈

Lightspeed™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.8V @ 15V, 15A

전력-최대

200W

에너지 전환

1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

86nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/150ns

테스트 조건

960V, 15A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 14A

전력-최대

300W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

105nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/265ns

테스트 조건

850V, 14A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXBH)

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 40A

전력-최대

366W

에너지 전환

970µJ (on), 440µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

84ns/177ns

테스트 조건

400V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

72ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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