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IRG5K100HF12B

IRG5K100HF12B

참조 용

부품 번호 IRG5K100HF12B
PNEDA 부품 번호 IRG5K100HF12B
설명 MOD IGBT 1200V 100A POWIR 62
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,318
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 9 - 4월 14 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRG5K100HF12B 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRG5K100HF12B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-모듈
데이터 시트
IRG5K100HF12B, IRG5K100HF12B 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 925.08 KB)
PDFIRG5K100HF12B 데이터 시트 표지
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  • IRG5K100HF12B Distributor

IRG5K100HF12B 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
구성Half Bridge
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)200A
전력-최대780W
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 100A
전류-수집기 차단 (최대)2mA
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce11.7nF @ 25V
입력Standard
NTC 서미스터No
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스POWIR® 62 Module
공급자 장치 패키지POWIR® 62

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600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

290A

전력-최대

625W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 200A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

12.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전력-최대

250W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전류-수집기 차단 (최대)

100µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

2.3nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

SP3

공급자 장치 패키지

SP3

APTGT100A60TG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

구성

Half Bridge

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전력-최대

340W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 100A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

6.1nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

SP4

공급자 장치 패키지

SP4

APTGF330DA60D3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

구성

Single

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

460A

전력-최대

1400W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 400A

전류-수집기 차단 (최대)

750µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

18nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

No

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

D3

APTGV50H60T3G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT, Trench Field Stop

구성

Full Bridge Inverter

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전력-최대

176W

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 50A

전류-수집기 차단 (최대)

250µA

입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce

3.15nF @ 25V

입력

Standard

NTC 서미스터

Yes

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