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IRGR3B60KD2PBF

IRGR3B60KD2PBF

참조 용

부품 번호 IRGR3B60KD2PBF
PNEDA 부품 번호 IRGR3B60KD2PBF
설명 IGBT 600V 7.8A 52W DPAK
제조업체 Infineon Technologies
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGR3B60KD2PBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGR3B60KD2PBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일

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IRGR3B60KD2PBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)7.8A
전류-수집기 펄스 (Icm)15.6A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 3A
전력-최대52W
에너지 전환62µJ (on), 39µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지13nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C18ns/110ns
테스트 조건400V, 3A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)77ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지D-Pak

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

48A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

NGTB50N60SWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

전력-최대

-

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/144ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

376ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

SGR6N60UFTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 3A

전력-최대

30W

에너지 전환

57µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

15nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/60ns

테스트 조건

300V, 3A, 80Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

D-Pak

APT100GN120B2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

245A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 100A

전력-최대

960W

에너지 전환

11mJ (on), 9.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

540nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/615ns

테스트 조건

800V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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