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APT11GF120BRDQ1G

APT11GF120BRDQ1G

참조 용

부품 번호 APT11GF120BRDQ1G
PNEDA 부품 번호 APT11GF120BRDQ1G
설명 IGBT 1200V 25A 156W TO247
제조업체 Microsemi
단가 견적 요청
재고 있음 3,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 12월 25 - 12월 30 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

APT11GF120BRDQ1G 리소스

브랜드 Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호APT11GF120BRDQ1G
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
APT11GF120BRDQ1G, APT11GF120BRDQ1G 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 429.98 KB)
PDFAPT11GF120BRDQ1G 데이터 시트 표지
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APT11GF120BRDQ1G 사양

제조업체Microsemi Corporation
시리즈-
IGBT 유형NPT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)25A
전류-수집기 펄스 (Icm)24A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3V @ 15V, 8A
전력-최대156W
에너지 전환300µJ (on), 285µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지65nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C7ns/100ns
테스트 조건800V, 8A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247 [B]

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

130µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/99ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STGW50HF60S

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

110A

전류-수집기 펄스 (Icm)

130A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 30A

전력-최대

284W

에너지 전환

250µJ (on), 4.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

200nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/220ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG7PH35U-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IXBX75N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

580A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 75A

전력-최대

1040W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.5µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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제조업체

ON Semiconductor

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 4.5V, 20A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/5µs

테스트 조건

300V, 9A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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