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IRGS4607DTRRPBF

IRGS4607DTRRPBF

참조 용

부품 번호 IRGS4607DTRRPBF
PNEDA 부품 번호 IRGS4607DTRRPBF
설명 IGBT 600V 11A 58W D2PAK
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 8,226
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 24 - 11월 29 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IRGS4607DTRRPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGS4607DTRRPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGS4607DTRRPBF, IRGS4607DTRRPBF 데이터 시트 (총 페이지: 16, 크기: 843.38 KB)
PDFIRGR4607DTRPBF 데이터 시트 표지
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  • IRGS4607DTRRPBF Distributor

IRGS4607DTRRPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)11A
전류-수집기 펄스 (Icm)12A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.05V @ 15V, 4A
전력-최대58W
에너지 전환140µJ (on), 62µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지9nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C27ns/120ns
테스트 조건400V, 4A, 100Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)48ns
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D2PAK

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

19A

전류-수집기 펄스 (Icm)

38A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 10A

전력-최대

60W

에너지 전환

320µJ (on), 2.58mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/690ns

테스트 조건

480V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT35GA90BD15

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

63A

전류-수집기 펄스 (Icm)

105A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.1V @ 15V, 18A

전력-최대

290W

에너지 전환

642µJ (on), 382µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

12ns/104ns

테스트 조건

600V, 18A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IRGP20B60PDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

220W

에너지 전환

95µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/115ns

테스트 조건

390V, 13A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGD19N40LZ

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

Automotive, AEC-Q101

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

390V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 4.5V, 10A

전력-최대

125W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

17nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

650ns/13.5µs

테스트 조건

300V, 10A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

STGD5NB120SZ-1

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

10A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 5A

전력-최대

75W

에너지 전환

2.59mJ (on), 9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

690ns/12.1µs

테스트 조건

960V, 5A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

공급자 장치 패키지

I-PAK

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DIODE SCHOTTKY 40V 5A DO214AB

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P6KE150A

P6KE150A

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TVS DIODE 128V 207V DO15

NE3509M04-A

NE3509M04-A

CEL

FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI

7508110151

7508110151

Wurth Electronics Midcom

WE-UNIT OFFLINE TRANSFORMER

MBR140SFT1G

MBR140SFT1G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123L