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IRGSL4640DPBF

IRGSL4640DPBF

참조 용

부품 번호 IRGSL4640DPBF
PNEDA 부품 번호 IRGSL4640DPBF
설명 DIODE 600V 24A COPAK-262
제조업체 Infineon Technologies
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IRGSL4640DPBF 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IRGSL4640DPBF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IRGSL4640DPBF, IRGSL4640DPBF 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 792.62 KB)
PDFIRGIB4640DPBF 데이터 시트 표지
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IRGSL4640DPBF 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)65A
전류-수집기 펄스 (Icm)72A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 15V, 24A
전력-최대250W
에너지 전환115µJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지75nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C41ns/104ns
테스트 조건400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)89ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급자 장치 패키지TO-262

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제조업체

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 24A

전력-최대

190W

에너지 전환

320µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

66nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/110ns

테스트 조건

400V, 24A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

RJH60F6BDPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

85A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.75V @ 15V, 45A

전력-최대

297.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

58ns/131ns

테스트 조건

400V, 30A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247A

SGP10N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 10A

전력-최대

75W

에너지 전환

141µJ (on), 215µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

30nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/36ns

테스트 조건

300V, 10A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

FGA6560WDF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

180A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

306W

에너지 전환

2.46mJ (on), 520µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

84nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25.6ns/71ns

테스트 조건

400V, 60A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

110ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3PN

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 75A

전력-최대

360W

에너지 전환

3.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

248nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

62ns/220ns

테스트 조건

480V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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