IRLHM630TR2PBF
참조 용
| 부품 번호 | IRLHM630TR2PBF |
| PNEDA 부품 번호 | IRLHM630TR2PBF |
| 설명 | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,894 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 4월 10 - 4월 15 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IRLHM630TR2PBF 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IRLHM630TR2PBF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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IRLHM630TR2PBF 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | HEXFET® |
| FET 유형 | N-Channel |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
| Vgs (최대) | ±12V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 3170pF @ 25V |
| FET 기능 | - |
| 전력 손실 (최대) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 공급자 장치 패키지 | PQFN (3x3) |
| 패키지 / 케이스 | 8-VQFN Exposed Pad |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 CoolMOS™ FET 유형 N-Channel 기술 MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss) 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 94nC @ 10V Vgs (최대) ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 2400pF @ 100V FET 기능 - 전력 손실 (최대) 208W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 공급자 장치 패키지 PG-TO262-3 패키지 / 케이스 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
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