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IS42S32400F-6B-TR

IS42S32400F-6B-TR

참조 용

부품 번호 IS42S32400F-6B-TR
PNEDA 부품 번호 IS42S32400F-6B-TR
설명 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음 8,316
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예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS42S32400F-6B-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS42S32400F-6B-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS42S32400F-6B-TR, IS42S32400F-6B-TR 데이터 시트 (총 페이지: 60, 크기: 852.83 KB)
PDFIS42S32400F-7BI 데이터 시트 표지
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  • IS42S32400F-6B-TR Distributor

IS42S32400F-6B-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM
메모리 크기128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지-
접근 시간-
전압-공급3V ~ 3.6V
작동 온도0°C ~ 70°C
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스90-TFBGA
공급자 장치 패키지90-TFBGA (8x13)

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

제조업체

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM

메모리 크기

256Mb (8M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

143MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

5.5ns

전압-공급

3V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

90-LFBGA

공급자 장치 패키지

90-LFBGA (8x13)

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - Mobile LPDDR3

메모리 크기

32Gb (512M x 64)

메모리 인터페이스

-

시계 주파수

1067MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.2V

작동 온도

-30°C ~ 85°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

253-VFBGA

공급자 장치 패키지

253-VFBGA (11x11.5)

CY7C1150KV18-400BZXC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Synchronous, DDR II+

메모리 크기

18Mb (512K x 36)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

400MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 1.9V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

165-LBGA

공급자 장치 패키지

165-FBGA (13x15)

S25FS128SDSMFI1D3

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

FS-S

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

SPI - Quad I/O

시계 주파수

80MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.7V ~ 2V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

S29GL128P10FAI013

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

GL-P

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH - NOR

메모리 크기

128Mb (16M x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

100ns

접근 시간

100ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

64-LBGA

공급자 장치 패키지

64-FBGA (13x11)

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