IS43DR16160B-3DBLI
참조 용
| 부품 번호 | IS43DR16160B-3DBLI |
| PNEDA 부품 번호 | IS43DR16160B-3DBLI |
| 설명 | IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA |
| 제조업체 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 4,257 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택) |
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IS43DR16160B-3DBLI 리소스
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IS43DR16160B-3DBLI 사양
| 제조업체 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | DRAM |
| 기술 | SDRAM - DDR2 |
| 메모리 크기 | 256Mb (16M x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | 333MHz |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 15ns |
| 접근 시간 | 450ps |
| 전압-공급 | 1.7V ~ 1.9V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 84-TFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 84-TWBGA (8x12.5) |
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