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IS43LD16128B-25BL-TR

IS43LD16128B-25BL-TR

참조 용

부품 번호 IS43LD16128B-25BL-TR
PNEDA 부품 번호 IS43LD16128B-25BL-TR
설명 IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 5,688
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43LD16128B-25BL-TR 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43LD16128B-25BL-TR
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43LD16128B-25BL-TR, IS43LD16128B-25BL-TR 데이터 시트 (총 페이지: 145, 크기: 6,533.95 KB)
PDFIS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 표지
IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 2 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 3 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 4 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 5 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 6 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 7 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 8 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 9 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 10 IS43LD32640B-18BPLI 데이터 시트 페이지 11

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  • IS43LD16128B-25BL-TR Distributor

IS43LD16128B-25BL-TR 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간-
전압-공급1.14V ~ 1.95V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스134-TFBGA
공급자 장치 패키지134-TFBGA (10x11.5)

관심을 가질만한 제품

CY14B101L-SP35XC

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

NVSRAM

기술

NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

메모리 크기

1Mb (128K x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

35ns

접근 시간

35ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-BSSOP (0.295", 7.50mm Width)

공급자 장치 패키지

48-SSOP

MT61K512M32KPA-16:B TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SGRAM - GDDR6

메모리 크기

16Gb (512M x 32)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

8GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.31V ~ 1.391V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

180-TFBGA

공급자 장치 패키지

180-FBGA (12x14)

93AA46B/WF15K

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (64 x 16)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

6ms

접근 시간

-

전압-공급

1.8V ~ 5.5V

작동 온도

0°C ~ 70°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

93C56A-I/ST

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

2Kb (256 x 8)

메모리 인터페이스

SPI

시계 주파수

2MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

2ms

접근 시간

-

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

24C01C-I/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

1Kb (128 x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

400kHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

1ms

접근 시간

900ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

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