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ISL6615IRZ-T

ISL6615IRZ-T

참조 용

부품 번호 ISL6615IRZ-T
PNEDA 부품 번호 ISL6615IRZ-T
설명 IC MOSFET DRVR SYNC HF 6A 10-DFN
제조업체 Renesas Electronics America Inc.
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ISL6615IRZ-T 리소스

브랜드 Renesas Electronics America Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL6615IRZ-T
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
ISL6615IRZ-T, ISL6615IRZ-T 데이터 시트 (총 페이지: 11, 크기: 622.23 KB)
PDFISL6615CRZ-T 데이터 시트 표지
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  • ISL6615IRZ-T Distributor

ISL6615IRZ-T 사양

제조업체Renesas Electronics America Inc.
시리즈-
구동 구성Half-Bridge
채널 유형Synchronous
드라이버 수2
게이트 유형N-Channel MOSFET
전압-공급6.8V ~ 13.2V
논리 전압-VIL, VIH-
전류-피크 출력 (소스, 싱크)2.5A, 4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)36V
상승 / 하강 시간 (일반)13ns, 10ns
작동 온도-40°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스10-VFDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지10-DFN (3x3)

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제조업체

Linear Technology/Analog Devices

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

7.2V ~ 13.5V

논리 전압-VIL, VIH

1.85V, 3.25V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.5A, 3A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

114V

상승 / 하강 시간 (일반)

8ns, 5ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad

공급자 장치 패키지

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제조업체

Melexis Technologies NV

시리즈

Automotive, AEC-Q100

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

6

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 28V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 1.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.4A, 1.6A

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

7ns, 7ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

32-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

32-QFN (5x5)

MCP14A1201-E/SN

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Single

드라이버 수

1

게이트 유형

IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

12A, 12A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

25ns, 25ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

ISL6612CRZ-TR5238

Renesas Electronics America Inc.

제조업체

Renesas Electronics America Inc.

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

10-VFDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

10-DFN (3x3)

MCP14A0453-E/MNY

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

구동 구성

Low-Side

채널 유형

Independent

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT

전압-공급

4.5V ~ 18V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 2V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

4.5A, 4.5A

입력 유형

Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

12ns, 12ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

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8-WFDFN Exposed Pad

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