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ISL9V2040D3S

ISL9V2040D3S

참조 용

부품 번호 ISL9V2040D3S
PNEDA 부품 번호 ISL9V2040D3S
설명 IGBT 430V 10A 130W TO252AA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 3,690
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 24 - 3월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

ISL9V2040D3S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호ISL9V2040D3S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
ISL9V2040D3S, ISL9V2040D3S 데이터 시트 (총 페이지: 10, 크기: 414.81 KB)
PDFISL9V2040S3S 데이터 시트 표지
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ISL9V2040D3S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈EcoSPARK®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)430V
전류-수집기 (Ic) (최대)10A
전류-수집기 펄스 (Icm)-
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.9V @ 4V, 6A
전력-최대130W
에너지 전환-
입력 유형Logic
게이트 차지12nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-/3.64µs
테스트 조건300V, 1kOhm, 5V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-40°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
공급자 장치 패키지TO-252AA

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 50A

전력-최대

400W

에너지 전환

4.7mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/350ns

테스트 조건

720V, 50A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

200ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

APT68GA60LD40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

121A

전류-수집기 펄스 (Icm)

202A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

전력-최대

520W

에너지 전환

715µJ (on), 607µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

198nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

21ns/133ns

테스트 조건

400V, 40A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 [L]

FGH12040WD-F155

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 15V, 40A

전력-최대

428W

에너지 전환

4.1mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

226nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/560ns

테스트 조건

600V, 40A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

71ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGB3NC120HDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 3A

전력-최대

75W

에너지 전환

236µJ (on), 290µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/118ns

테스트 조건

800V, 3A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

51ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

90A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 36A

전력-최대

300W

에너지 전환

950µJ (on), 840µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

113nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/270ns

테스트 조건

400V, 36A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

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MAX1680ESA

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ASPIAIG-F7030-4R7M-T

ASPIAIG-F7030-4R7M-T

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