IXBN75N170
참조 용
| 부품 번호 | IXBN75N170 |
| PNEDA 부품 번호 | IXBN75N170 |
| 설명 | IGBT BIMOSFET 1700V 145A SOT227B |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,912 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 11월 23 - 11월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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IXBN75N170 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | IXBN75N170 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-모듈 |
| 데이터 시트 |
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IXBN75N170 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | BIMOSFET™ |
| IGBT 유형 | - |
| 구성 | Single |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 1700V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 145A |
| 전력-최대 | 625W |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 3.1V @ 15V, 75A |
| 전류-수집기 차단 (최대) | 25µA |
| 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce | 6.93nF @ 25V |
| 입력 | Standard |
| NTC 서미스터 | No |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Chassis Mount |
| 패키지 / 케이스 | SOT-227-4, miniBLOC |
| 공급자 장치 패키지 | SOT-227B |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Single Switch 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1700V 전류-수집기 (Ic) (최대) 7200A 전력-최대 21000W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 3600A 전류-수집기 차단 (최대) 5mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 295nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 * IGBT 유형 - 구성 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) - 전류-수집기 (Ic) (최대) - 전력-최대 - Vce (on) (최대) @ Vge, Ic - 전류-수집기 차단 (최대) - 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce - 입력 - NTC 서미스터 - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 Trench Field Stop 구성 Full Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 450A 전력-최대 20mW Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 225A 전류-수집기 차단 (최대) 3mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 13nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 Yes 작동 온도 -40°C ~ 150°C 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - IGBT 유형 - 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 340A 전력-최대 800W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대) 2mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 11.9nF @ 25V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 POWIR® 62 Module 공급자 장치 패키지 POWIR® 62 |
제조업체 Powerex Inc. 시리즈 IGBTMOD™ IGBT 유형 - 구성 Half Bridge 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 200A 전력-최대 1130W Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 200A 전류-수집기 차단 (최대) 1mA 입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce 47nF @ 10V 입력 Standard NTC 서미스터 No 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 Module 공급자 장치 패키지 Module |
