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IXBT20N300

IXBT20N300

참조 용

부품 번호 IXBT20N300
PNEDA 부품 번호 IXBT20N300
설명 IGBT 3000V 50A 250W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,754
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 14 - 4월 19 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXBT20N300 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXBT20N300
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXBT20N300, IXBT20N300 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 174.66 KB)
PDFIXBT20N300 데이터 시트 표지
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IXBT20N300 사양

제조업체IXYS
시리즈BIMOSFET™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)3000V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)140A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 20A
전력-최대250W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지105nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)1.35µs
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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STMicroelectronics

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

468W

에너지 전환

1mJ (on), 1.32mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

158nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/152ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

FGB30N6S2

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

108A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

전력-최대

167W

에너지 전환

55µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

23nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/40ns

테스트 조건

390V, 12A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

TO-263AB

IXGH28N60B

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 28A

전력-최대

150W

에너지 전환

2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

68nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/175ns

테스트 조건

480V, 28A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

IRG7PH35U-EPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

FGPF7N60RUFDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

14A

전류-수집기 펄스 (Icm)

21A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 7A

전력-최대

41W

에너지 전환

230µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

24nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

60ns/60ns

테스트 조건

300V, 7A, 30Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

65ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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