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IXDD404SI

IXDD404SI

참조 용

부품 번호 IXDD404SI
PNEDA 부품 번호 IXDD404SI
설명 IC MOSFET DRIVR LS 4A DUAL 8SOIC
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 2,646
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 13 - 2월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXDD404SI 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXDD404SI
분류반도체전력 관리 ICPMIC-게이트 드라이버
데이터 시트
IXDD404SI, IXDD404SI 데이터 시트 (총 페이지: 12, 크기: 363.33 KB)
PDFIXDD404SIA-16 데이터 시트 표지
IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 2 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 3 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 4 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 5 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 6 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 7 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 8 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 9 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 10 IXDD404SIA-16 데이터 시트 페이지 11

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IXDD404SI 사양

제조업체IXYS
시리즈-
구동 구성Low-Side
채널 유형Independent
드라이버 수2
게이트 유형IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET
전압-공급4.5V ~ 35V
논리 전압-VIL, VIH0.8V, 2.5V
전류-피크 출력 (소스, 싱크)4A, 4A
입력 유형Non-Inverting
높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)-
상승 / 하강 시간 (일반)16ns, 13ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

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채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

10.8V ~ 13.2V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

1.25A, 2A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

36V

상승 / 하강 시간 (일반)

26ns, 18ns

작동 온도

0°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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시리즈

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구동 구성

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채널 유형

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드라이버 수

-

게이트 유형

-

전압-공급

-

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

-

입력 유형

-

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

DRV8304HRHAT

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

High-Side or Low-Side

채널 유형

3-Phase

드라이버 수

3

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

6V ~ 38V

논리 전압-VIL, VIH

0.8V, 1.5V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

150mA, 300mA

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

-

상승 / 하강 시간 (일반)

300ns, 150ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

40-VFQFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

40-VQFN (6x6)

TPS2832D

Texas Instruments

제조업체

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

N-Channel MOSFET

전압-공급

4.5V ~ 15V

논리 전압-VIL, VIH

-

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

2.7A, 2.4A

입력 유형

Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

28V

상승 / 하강 시간 (일반)

50ns, 50ns

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

IRS2111PBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

구동 구성

Half-Bridge

채널 유형

Synchronous

드라이버 수

2

게이트 유형

IGBT, N-Channel MOSFET

전압-공급

10V ~ 20V

논리 전압-VIL, VIH

8.3V, 12.6V

전류-피크 출력 (소스, 싱크)

290mA, 600mA

입력 유형

Inverting, Non-Inverting

높은 측 전압-최대 (부트 스트랩)

600V

상승 / 하강 시간 (일반)

75ns, 35ns

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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