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IXGF30N400

IXGF30N400

참조 용

부품 번호 IXGF30N400
PNEDA 부품 번호 IXGF30N400
설명 IGBT 4000V 30A 160W I4-PAK
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 7,992
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 6 - 3월 11 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGF30N400 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGF30N400
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGF30N400, IXGF30N400 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 193.76 KB)
PDFIXGF30N400 데이터 시트 표지
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IXGF30N400 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4000V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)360A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic5.2V @ 15V, 90A
전력-최대160W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지135nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스i4-Pac™-5 (3 Leads)
공급자 장치 패키지ISOPLUS i4-PAC™

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

전력-최대

333W

에너지 전환

227µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/102ns

테스트 조건

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34.6ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGP10NC60HD

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

20A

전류-수집기 펄스 (Icm)

30A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

전력-최대

65W

에너지 전환

31.8µJ (on), 95µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

19.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14.2ns/72ns

테스트 조건

390V, 5A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

STGP30NC60K

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

125A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 20A

전력-최대

185W

에너지 전환

350µJ (on), 435µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

96nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

29ns/120ns

테스트 조건

480V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220AB

FGPF4533

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

330V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 50A

전력-최대

28.4W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

44nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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32A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 10A

전력-최대

44W

에너지 전환

156µJ (on), 165µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

41nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

25ns/180ns

테스트 조건

400V, 10A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

79ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

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패키지 / 케이스

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