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IXGH2N250

IXGH2N250

참조 용

부품 번호 IXGH2N250
PNEDA 부품 번호 IXGH2N250
설명 IGBT 2500V 5.5A 32W TO247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,442
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGH2N250 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGH2N250
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGH2N250, IXGH2N250 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 177.95 KB)
PDFIXGH2N250 데이터 시트 표지
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IXGH2N250 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)2500V
전류-수집기 (Ic) (최대)5.5A
전류-수집기 펄스 (Icm)13.5A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.1V @ 15V, 2A
전력-최대32W
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지10.5nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247AD (IXGH)

관심을 가질만한 제품

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™, XPT™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

150A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 60A

전력-최대

750W

에너지 전환

1.6mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

107nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

35ns/90ns

테스트 조건

400V, 60A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD

STGWA60NC60WDR

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

130A

전류-수집기 펄스 (Icm)

250A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

340W

에너지 전환

743µJ (on), 560µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

195nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/240ns

테스트 조건

390V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

450A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

전력-최대

540W

에너지 전환

1.4mJ (on), 1mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

225nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/152ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

140ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70A

전류-수집기 펄스 (Icm)

140A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.3V @ 15V, 35A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/180ns

테스트 조건

960V, 35A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

HGTG30N60B3D

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 30A

전력-최대

208W

에너지 전환

550µJ (on), 680µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/137ns

테스트 조건

480V, 30A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

55ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

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