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IXGP30N60B4D1

IXGP30N60B4D1

참조 용

부품 번호 IXGP30N60B4D1
PNEDA 부품 번호 IXGP30N60B4D1
설명 IGBT 600V 56A 190W TO220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 8,298
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGP30N60B4D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGP30N60B4D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGP30N60B4D1, IXGP30N60B4D1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 81.82 KB)
PDFIXGP30N60B4D1 데이터 시트 표지
IXGP30N60B4D1 데이터 시트 페이지 2

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IXGP30N60B4D1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)56A
전류-수집기 펄스 (Icm)156A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 24A
전력-최대190W
에너지 전환440µJ (on), 700µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지77nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/200ns
테스트 조건400V, 24A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)30ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1400V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

150A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 28A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.6mJ (on), 3.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

88nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/190ns

테스트 조건

960V, 28A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

350ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264 (IXGK)

AUIRGS30B60K

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

78A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 30A

전력-최대

370W

에너지 전환

350µJ (on), 825µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

102nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/185ns

테스트 조건

400V, 30A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IKW30N65WR5XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

90A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 30A

전력-최대

185W

에너지 전환

990µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

155nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/367ns

테스트 조건

400V, 15A, 26Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

95ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

FGD3440G2-F085V

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

*

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APT40GP90B2DQ2G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

101A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 40A

전력-최대

543W

에너지 전환

795µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

145nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/90ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3 Variant

공급자 장치 패키지

-

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