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IXGP42N30C3

IXGP42N30C3

참조 용

부품 번호 IXGP42N30C3
PNEDA 부품 번호 IXGP42N30C3
설명 IGBT 300V 223W TO220AB
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,796
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 2월 25 - 3월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGP42N30C3 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGP42N30C3
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGP42N30C3, IXGP42N30C3 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 175.82 KB)
PDFIXGP42N30C3 데이터 시트 표지
IXGP42N30C3 데이터 시트 페이지 2 IXGP42N30C3 데이터 시트 페이지 3 IXGP42N30C3 데이터 시트 페이지 4 IXGP42N30C3 데이터 시트 페이지 5 IXGP42N30C3 데이터 시트 페이지 6

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IXGP42N30C3 사양

제조업체IXYS
시리즈GenX3™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)300V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)250A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.85V @ 15V, 42A
전력-최대223W
에너지 전환120µJ (on), 150µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지76nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C21ns/113ns
테스트 조건200V, 21A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-220-3
공급자 장치 패키지TO-220AB

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제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 3A

전력-최대

70W

에너지 전환

37µJ (on), 25µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

21nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

6ns/73ns

테스트 조건

390V, 3A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

29ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220-3

IRG4BC30FD-S

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

31A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 17A

전력-최대

100W

에너지 전환

630µJ (on), 1.39mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

51nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42ns/230ns

테스트 조건

480V, 17A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

42ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT25GT120BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전력-최대

347W

에너지 전환

930µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/150ns

테스트 조건

800V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

FGPF30N30TDTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

300V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 10A

전력-최대

44.6W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22ns/130ns

테스트 조건

200V, 20A, 20Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220F

IKA15N65ET6XKSA2

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop™

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

17A

전류-수집기 펄스 (Icm)

57.5A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 11.5A

전력-최대

45W

에너지 전환

230µJ (on), 110µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

37nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

30ns/117ns

테스트 조건

400V, 11.5A, 47Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

69ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3 Full Pack

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