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IXGC12N60CD1

IXGC12N60CD1

참조 용

부품 번호 IXGC12N60CD1
PNEDA 부품 번호 IXGC12N60CD1
설명 IGBT 600V 15A 85W ISOPLUS220
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 5,004
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 3월 15 - 3월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGC12N60CD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGC12N60CD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGC12N60CD1, IXGC12N60CD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 543.21 KB)
PDFIXGC12N60CD1 데이터 시트 표지
IXGC12N60CD1 데이터 시트 페이지 2

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IXGC12N60CD1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)15A
전류-수집기 펄스 (Icm)48A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 12A
전력-최대85W
에너지 전환90µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지32nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/60ns
테스트 조건480V, 12A, 18Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)35ns
작동 온도-40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS220™
공급자 장치 패키지ISOPLUS220™

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제조업체

IXYS

시리즈

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IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

2.5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/250ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268HV

RJH60D5DPK-00#T0

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 37A

전력-최대

200W

에너지 전환

650µJ (on), 400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

78nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

50ns/135ns

테스트 조건

300V, 37A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

100ns

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3P-3, SC-65-3

공급자 장치 패키지

TO-3P

NGTB25N120SWG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50A

전류-수집기 펄스 (Icm)

100A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

전력-최대

385W

에너지 전환

1.95mJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

178nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

87ns/179ns

테스트 조건

600V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

154ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

NGTD30T120F2WP

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

IKW20N60TFKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.05V @ 15V, 20A

전력-최대

166W

에너지 전환

770µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/199ns

테스트 조건

400V, 20A, 12Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

41ns

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PG-TO247-3

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