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NGTB25N120SWG

NGTB25N120SWG

참조 용

부품 번호 NGTB25N120SWG
PNEDA 부품 번호 NGTB25N120SWG
설명 IGBT 25A 1200V TO-247
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,352
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTB25N120SWG 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTB25N120SWG
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTB25N120SWG, NGTB25N120SWG 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 84.15 KB)
PDFNGTB25N120SWG 데이터 시트 표지
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  • NGTB25N120SWG Distributor

NGTB25N120SWG 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 25A
전력-최대385W
에너지 전환1.95mJ (on), 600µJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지178nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C87ns/179ns
테스트 조건600V, 25A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)154ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247-3

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

전력-최대

268W

에너지 전환

1.01mJ (on), 297µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

72.2nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

19.2ns/65.6ns

테스트 조건

400V, 40A, 6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

31.8ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 Long Leads

IKB20N60H3ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

170W

에너지 전환

690µJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

120nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

16ns/194ns

테스트 조건

400V, 20A, 14.6Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

112ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK (TO-263AB)

STGD7NB120ST4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

10A

전류-수집기 펄스 (Icm)

20A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 7A

전력-최대

55W

에너지 전환

3.2µJ (on), 15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

29nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

570ns/-

테스트 조건

960V, 7A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

공급자 장치 패키지

DPAK

APT11GF120BRDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

25A

전류-수집기 펄스 (Icm)

24A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 8A

전력-최대

156W

에너지 전환

300µJ (on), 285µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

7ns/100ns

테스트 조건

800V, 8A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

2500V

전류-수집기 (Ic) (최대)

60A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

5.2V @ 15V, 75A

전력-최대

250W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PLUS-220SMD

공급자 장치 패키지

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