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NGTD30T120F2WP

NGTD30T120F2WP

참조 용

부품 번호 NGTD30T120F2WP
PNEDA 부품 번호 NGTD30T120F2WP
설명 IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

NGTD30T120F2WP 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호NGTD30T120F2WP
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
NGTD30T120F2WP, NGTD30T120F2WP 데이터 시트 (총 페이지: 3, 크기: 348.22 KB)
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  • NGTD30T120F2WP Distributor

NGTD30T120F2WP 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)-
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.4V @ 15V, 40A
전력-최대-
에너지 전환-
입력 유형Standard
게이트 차지-
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C-
테스트 조건-
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스Die
공급자 장치 패키지Die

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 7A

전력-최대

28W

에너지 전환

82µJ (on), 155µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

34.4nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

22.5ns/116ns

테스트 조건

390V, 7A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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SGB20N60ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 20A

전력-최대

179W

에너지 전환

440µJ (on), 330µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

36ns/225ns

테스트 조건

400V, 20A, 16Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

PG-TO263-3

IRG4PC30UPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

50nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/78ns

테스트 조건

480V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

SGF40N60UFTU

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 20A

전력-최대

100W

에너지 전환

160µJ (on), 200µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

97nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/65ns

테스트 조건

300V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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IKFW75N60ETXKSA1

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

225A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 75A

전력-최대

178W

에너지 전환

2.7mJ (on), 2.35J (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

440nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

33ns/340ns

테스트 조건

400V, 75A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

107ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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7A-8.000MBBK-T

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CDSOT23-T24CAN

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