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IXGQ20N120BD1

IXGQ20N120BD1

참조 용

부품 번호 IXGQ20N120BD1
PNEDA 부품 번호 IXGQ20N120BD1
설명 IGBT 1200V 40A 190W TO3P
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,924
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 4 - 4월 9 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGQ20N120BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGQ20N120BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGQ20N120BD1, IXGQ20N120BD1 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 505.97 KB)
PDFIXGQ20N120BD1 데이터 시트 표지
IXGQ20N120BD1 데이터 시트 페이지 2 IXGQ20N120BD1 데이터 시트 페이지 3 IXGQ20N120BD1 데이터 시트 페이지 4 IXGQ20N120BD1 데이터 시트 페이지 5 IXGQ20N120BD1 데이터 시트 페이지 6

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IXGQ20N120BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)40A
전류-수집기 펄스 (Icm)100A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.4V @ 15V, 20A
전력-최대190W
에너지 전환2.1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지62nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/270ns
테스트 조건960V, 20A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)40ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

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전류-수집기 (Ic) (최대)

16A

전류-수집기 펄스 (Icm)

40A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

6V @ 15V, 10A

전력-최대

150W

에너지 전환

1.2mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/160ns

테스트 조건

1360V, 10A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

360ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

공급자 장치 패키지

TO-268

SGW23N60UFDTM

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

23A

전류-수집기 펄스 (Icm)

92A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

전력-최대

100W

에너지 전환

115µJ (on), 135µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

17ns/60ns

테스트 조건

300V, 12A, 23Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

60ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D²PAK

APT50GR120L

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

117A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 50A

전력-최대

694W

에너지 전환

2.14mJ (on), 1.48mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

445nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

28ns/237ns

테스트 조건

600V, 50A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

NGTB15N60EG

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.95V @ 15V, 15A

전력-최대

117W

에너지 전환

900µJ (on), 300µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

80nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

78ns/130ns

테스트 조건

400V, 15A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

270ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3

공급자 장치 패키지

TO-220

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 50A

전력-최대

300W

에너지 전환

3.3mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

167nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/150ns

테스트 조건

480V, 50A, 2.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

35ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264AA(IXSK)

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