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IXGQ50N60B4D1

IXGQ50N60B4D1

참조 용

부품 번호 IXGQ50N60B4D1
PNEDA 부품 번호 IXGQ50N60B4D1
설명 IGBT 600V 100A 300W TO3P
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 3,348
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 27 - 5월 2 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGQ50N60B4D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGQ50N60B4D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60B4D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 200.26 KB)
PDFIXGQ50N60B4D1 데이터 시트 표지
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IXGQ50N60B4D1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)600V
전류-수집기 (Ic) (최대)100A
전류-수집기 펄스 (Icm)230A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic1.8V @ 15V, 36A
전력-최대300W
에너지 전환930µJ (on), 1mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지110nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C37ns/330ns
테스트 조건400V, 36A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)25ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-3P-3, SC-65-3
공급자 장치 패키지TO-3P

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IXYS

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IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

240A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 100A

전력-최대

830W

에너지 전환

10mJ (on), 33mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

420nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

40ns/490ns

테스트 조건

960V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

MGB15N40CLT4

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

440V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

50A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.9V @ 4V, 25A

전력-최대

150W

에너지 전환

-

입력 유형

Logic

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-/4µs

테스트 조건

300V, 6.5A, 1kOhm

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

38A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 35A

전력-최대

125W

에너지 전환

1.6mJ (on), 800µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

140nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

300V, 35A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

40ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

ISOPLUS247™

공급자 장치 패키지

ISOPLUS247™

IRG4IBC20UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

11.4A

전류-수집기 펄스 (Icm)

52A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 6.5A

전력-최대

34W

에너지 전환

160µJ (on), 130µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

27nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/93ns

테스트 조건

480V, 6.5A, 50Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

37ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220AB Full-Pak

APT45GR65SSCD10

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

118A

전류-수집기 펄스 (Icm)

224A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 45A

전력-최대

543W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

203nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

15ns/100ns

테스트 조건

433V, 45A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

80ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D3Pak

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