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IXGR32N90B2D1

IXGR32N90B2D1

참조 용

부품 번호 IXGR32N90B2D1
PNEDA 부품 번호 IXGR32N90B2D1
설명 IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 4월 26 - 5월 1 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGR32N90B2D1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGR32N90B2D1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGR32N90B2D1, IXGR32N90B2D1 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 199.92 KB)
PDFIXGR32N90B2D1 데이터 시트 표지
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IXGR32N90B2D1 사양

제조업체IXYS
시리즈HiPerFAST™
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)900V
전류-수집기 (Ic) (최대)47A
전류-수집기 펄스 (Icm)200A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.9V @ 15V, 32A
전력-최대160W
에너지 전환2.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지89nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C20ns/260ns
테스트 조건720V, 32A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)190ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스ISOPLUS247™
공급자 장치 패키지ISOPLUS247™

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제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

21A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

전력-최대

47W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

49nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

27ns/88ns

테스트 조건

400V, 25A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

58ns

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

TO-220NFM

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

400A

전류-수집기 펄스 (Icm)

1000A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 100A

전력-최대

1000W

에너지 전환

2.7mJ (on), 5mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

585nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

44ns/250ns

테스트 조건

480V, 100A, 1Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

66ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

24-PowerSMD, 21 Leads

공급자 장치 패키지

24-SMPD

IRGS4640DTRLPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

65A

전류-수집기 펄스 (Icm)

72A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 24A

전력-최대

250W

에너지 전환

115µJ (on), 600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

41ns/104ns

테스트 조건

400V, 24A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

89ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

FGB20N60SF

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

IGBT 유형

Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

60A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 20A

전력-최대

208W

에너지 전환

370µJ (on), 160µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

65nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/90ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 20A

전력-최대

167W

에너지 전환

209µJ (on), 261µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

115nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

42.5ns/177ns

테스트 조건

400V, 20A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

90ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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