MMIX1G320N60B3
참조 용
| 부품 번호 | MMIX1G320N60B3 |
| PNEDA 부품 번호 | MMIX1G320N60B3 |
| 설명 | MOSFET N-CH |
| 제조업체 | IXYS |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 3,978 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 1월 23 - 1월 28 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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MMIX1G320N60B3 리소스
| 브랜드 | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | MMIX1G320N60B3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-IGBT-단일 |
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MMIX1G320N60B3 사양
| 제조업체 | IXYS |
| 시리즈 | GenX3™ |
| IGBT 유형 | PT |
| 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) | 600V |
| 전류-수집기 (Ic) (최대) | 400A |
| 전류-수집기 펄스 (Icm) | 1000A |
| Vce (on) (최대) @ Vge, Ic | 1.5V @ 15V, 100A |
| 전력-최대 | 1000W |
| 에너지 전환 | 2.7mJ (on), 5mJ (off) |
| 입력 유형 | Standard |
| 게이트 차지 | 585nC |
| Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C | 44ns/250ns |
| 테스트 조건 | 480V, 100A, 1Ohm, 15V |
| 역 복구 시간 (trr) | 66ns |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 24-PowerSMD, 21 Leads |
| 공급자 장치 패키지 | 24-SMPD |
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제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 600V 전류-수집기 (Ic) (최대) 100A 전류-수집기 펄스 (Icm) 120A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 30A 전력-최대 463W 에너지 전환 260µJ (on), 250µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 90nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 13ns/55ns 테스트 조건 400V, 30A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 [B] |
제조업체 IXYS 시리즈 XPT™, GenX3™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 650V 전류-수집기 (Ic) (최대) 240A 전류-수집기 펄스 (Icm) 480A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 70A 전력-최대 470W 에너지 전환 3.15mJ (on), 2.2mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 178nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 24ns/174ns 테스트 조건 400V, 50A, 2Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 64ns 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-247-3 공급자 장치 패키지 TO-247 |
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제조업체 IXYS 시리즈 HiPerFAST™ IGBT 유형 - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 900V 전류-수집기 (Ic) (최대) 64A 전류-수집기 펄스 (Icm) 200A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 32A 전력-최대 300W 에너지 전환 2.2mJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 89nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 20ns/260ns 테스트 조건 720V, 32A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) 190ns 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA 공급자 장치 패키지 TO-268 |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 POWER MOS 7® IGBT 유형 PT 전압-수집기 이미 터 고장 (최대) 1200V 전류-수집기 (Ic) (최대) 41A 전류-수집기 펄스 (Icm) 50A Vce (on) (최대) @ Vge, Ic 3.9V @ 15V, 13A 전력-최대 250W 에너지 전환 114µJ (on), 165µJ (off) 입력 유형 Standard 게이트 차지 55nC Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C 9ns/28ns 테스트 조건 600V, 13A, 5Ohm, 15V 역 복구 시간 (trr) - 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 TO-220-3 공급자 장치 패키지 TO-220 [K] |
