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IXGT15N120BD1

IXGT15N120BD1

참조 용

부품 번호 IXGT15N120BD1
PNEDA 부품 번호 IXGT15N120BD1
설명 IGBT 1200V 30A 150W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGT15N120BD1 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGT15N120BD1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGT15N120BD1, IXGT15N120BD1 데이터 시트 (총 페이지: 2, 크기: 120.82 KB)
PDFIXGH15N120BD1 데이터 시트 표지
IXGH15N120BD1 데이터 시트 페이지 2

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IXGT15N120BD1 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)30A
전류-수집기 펄스 (Icm)60A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.2V @ 15V, 15A
전력-최대150W
에너지 전환1.75mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지69nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C25ns/150ns
테스트 조건960V, 15A, 10Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)40ns
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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ON Semiconductor

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 18A

전력-최대

390W

에너지 전환

1.9mJ (on), 1.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/170ns

테스트 조건

960V, 18A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

75ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

IRG4PC50UDPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

55A

전류-수집기 펄스 (Icm)

220A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 27A

전력-최대

200W

에너지 전환

990µJ (on), 590µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

180nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

46ns/140ns

테스트 조건

480V, 27A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

50ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AC

STGB20NB41LZT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

442V

전류-수집기 (Ic) (최대)

40A

전류-수집기 펄스 (Icm)

80A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2V @ 4.5V, 20A

전력-최대

200W

에너지 전환

5mJ (on), 12.9mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

46nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

1µs/12.1µs

테스트 조건

320V, 20A, 1kOhm, 5V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

APT25GP90BDQ1G

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 7®

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

900V

전류-수집기 (Ic) (최대)

72A

전류-수집기 펄스 (Icm)

110A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.9V @ 15V, 25A

전력-최대

417W

에너지 전환

370µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

110nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

13ns/55ns

테스트 조건

600V, 40A, 4.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IXER60N120

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

-

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

95A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 60A

전력-최대

375W

에너지 전환

7.2mJ (on), 4.8mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

350nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

600V, 60A, 22Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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