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IXGT28N120B

IXGT28N120B

참조 용

부품 번호 IXGT28N120B
PNEDA 부품 번호 IXGT28N120B
설명 IGBT 1200V 50A 250W TO268
제조업체 IXYS
단가 견적 요청
재고 있음 4,068
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IXGT28N120B 리소스

브랜드 IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IXGT28N120B
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
IXGT28N120B, IXGT28N120B 데이터 시트 (총 페이지: 5, 크기: 575.95 KB)
PDFIXGT28N120B 데이터 시트 표지
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IXGT28N120B 사양

제조업체IXYS
시리즈-
IGBT 유형PT
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)1200V
전류-수집기 (Ic) (최대)50A
전류-수집기 펄스 (Icm)150A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic3.5V @ 15V, 28A
전력-최대250W
에너지 전환2.2mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지92nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C30ns/210ns
테스트 조건960V, 28A, 5Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)-
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
공급자 장치 패키지TO-268

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ON Semiconductor

시리즈

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IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

650V

전류-수집기 (Ic) (최대)

120A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 60A

전력-최대

333W

에너지 전환

227µJ (on), 100µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

79nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20.8ns/102ns

테스트 조건

400V, 15A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

34.6ns

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247-3

STGB3NB60SDT4

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

PowerMESH™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

6A

전류-수집기 펄스 (Icm)

25A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.5V @ 15V, 3A

전력-최대

70W

에너지 전환

1.15mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

18nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

125ns/3.4µs

테스트 조건

480V, 3A, 1kOhm, 15V

역 복구 시간 (trr)

1.7µs

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

IGA30N60H3XKSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

TrenchStop®

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

18A

전류-수집기 펄스 (Icm)

120A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 30A

전력-최대

43W

에너지 전환

1.17mJ

입력 유형

Standard

게이트 차지

165nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/207ns

테스트 조건

400V, 30A, 10.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

공급자 장치 패키지

PG-TO220-3-31 Full Pack

IXBH42N170

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

BIMOSFET™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1700V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

300A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 42A

전력-최대

360W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

188nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

1.32µs

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

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Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 50A

전력-최대

-

에너지 전환

600µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

135nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

70ns/144ns

테스트 조건

400V, 50A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

376ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

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